本文摘要：三星电子1月18日宣告，开始量产业内首款16Gb（2GB）容量的GDDR6RAM芯片。参数方面，三星回应，GDDR6的单芯片容量是上一代20nmGDDR5的两倍、速度也是两倍。即16GbGDDR6的插槽比特率超过了18Gbps，合计可获取72GB／s的数据传输率。生产工艺上，三星只回应用于的是10nm级工艺（10nm～19nm），猜测有可能是14nm。 另外一个GDDR6相比于GDDR5RAM的优势就是电压更加较低，从1．55V再降1．35V，三星称之为功耗不会减少35％。
三星电子1月18日宣告，开始量产业内首款16Gb（2GB）容量的GDDR6RAM芯片。参数方面，三星回应，GDDR6的单芯片容量是上一代20nmGDDR5的两倍、速度也是两倍。即16GbGDDR6的插槽比特率超过了18Gbps，合计可获取72GB／s的数据传输率。生产工艺上，三星只回应用于的是10nm级工艺（10nm～19nm），猜测有可能是14nm。
另外一个GDDR6相比于GDDR5RAM的优势就是电压更加较低，从1．55V再降1．35V，三星称之为功耗不会减少35％。
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